পাওয়ার ট্রান্সফরমারের উচ্চ ভোল্টেজ পরীক্ষার বিশ্লেষণ

উচ্চ চাপ পরীক্ষায় তাপমাত্রার প্রভাব

তাপমাত্রার পরিবর্তন ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্সকে সম্পূর্ণরূপে প্রভাবিত করে, তাই যখন বাইরের তাপমাত্রা ক্রমাগত বাড়তে থাকে, তখন তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে ইনসুলেশন উপাদানের মধ্যে থাকা অণু এবং আয়নের চলাচলও ত্বরান্বিত হতে থাকে, যার ফলে ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্সের পোলারিটি উন্নত হতে পারে এবং ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্স হ্রাস পেতে পারে। একই সময়ে, তাপমাত্রা বৃদ্ধির প্রক্রিয়ায়, ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্সের মধ্যে থাকা জলের অণুগুলির চলাচলও ত্বরান্বিত হতে থাকে, যার ফলে ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্সের পৃষ্ঠের ময়লা দ্রুত দ্রবীভূত হতে পারে এবং রেজিস্ট্যান্স দ্রুত হ্রাস পেতে পারে। এছাড়াও, ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্সের হ্রাস সরাসরি পৃষ্ঠের ময়লার সাথে সম্পর্কিত। একই সময়ে, কিছু গবেষণার তথ্য বিশ্লেষণ করে দেখা গেছে যে তাপমাত্রার পরিবর্তন ট্রান্সফরমারের ইনসুলেশন শোষণ অনুপাতের পরিবর্তনেও ভূমিকা রাখে। এক্ষেত্রে, এটিকে দুটি ভাগে ভাগ করা যেতে পারে। শুষ্ক পরিবর্তনশীল চাপের লু-এর ক্ষেত্রে, তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে শোষণ অনুপাত বৃদ্ধি পায়। তবে, তাপমাত্রা ৪০℃-এর বেশি হয়ে গেলে শোষণ অনুপাত হ্রাস পায়। অন্যান্য ক্ষেত্রে, তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে শোষণ অনুপাত হ্রাস পায়।

চাপ বৃদ্ধির গতির প্রভাব

উচ্চ-ভোল্টেজ পরীক্ষায়, ভোল্টেজ বাড়ানোর গতি কারেন্ট লিকেজকে প্রভাবিত করে, তাই পরীক্ষার সময় ট্রান্সফরমারের ক্ষমতা অনুযায়ী নমনীয়ভাবে নিয়ন্ত্রণ করা প্রয়োজন, যাতে ত্রুটির ঘটনা যথাসম্ভব নিয়ন্ত্রণ করা যায় এবং উচ্চ-ভোল্টেজ পরীক্ষার ফলাফলের নির্ভুলতা নিশ্চিত করা যায়।

পাওয়ার ট্রান্সফরমার পরীক্ষার উদাহরণ

ওয়াইন্ডিং এবং বুশিং-এর ডিসি রেজিস্ট্যান্স পরীক্ষাকে উদাহরণ হিসেবে নিয়ে, এই পরীক্ষার সময় যে বিষয়গুলিতে মনোযোগ দেওয়া প্রয়োজন তা সংক্ষেপে ব্যাখ্যা করা হলো। যেহেতু ট্রান্সফরমার ওয়াইন্ডিং-এর ইন্ডাকট্যান্স এবং মিউচুয়াল ইন্ডাকট্যান্স বেশি, কিন্তু রেজিস্ট্যান্স কম, তাই টাইম কনস্ট্যান্ট L/R সূত্রানুসারে দেখা যায় যে এর টাইম কনস্ট্যান্ট অনেক বড় হয়। এক্ষেত্রে, যদি কারেন্ট স্থিতিশীল রাখতে হয়, তাহলে চার্জিং টাইম অনেক দীর্ঘ হবে। তাই, কিছু বড় ট্রান্সফরমারের ক্ষেত্রে পরীক্ষার সময় যথাসম্ভব কমিয়ে আনা উচিত। যদি কোনো বড় আকারের ট্রান্সফরমারের লো-ভোল্টেজ ওয়াইন্ডিং-এর রেজিস্ট্যান্স পরিমাপ করতে হয়, যেহেতু লো-ভোল্টেজ প্রান্তে এক্সাইটিং টার্ন কম থাকে, তাই সিরিজ ওয়াইন্ডিং ম্যাগনেটাইজেশন পদ্ধতি অবলম্বন করা যেতে পারে এবং সঠিক সংযোগ মোড নির্বাচন করা উচিত।


পোস্ট করার সময়: ১৫ জুলাই, ২০২০